Diodenmodell auf Basis von Messdaten

Herkömmliche Modelle von Bauelementen zum Schutz vor elektrostatischen Entladungen verwenden üblicherweise vereinfachte Näherungswerte. Die neuen Modelle, die Würth Elektronik und das IFE der TU Graz auf Basis von Messdaten entwickelt haben, zeigen hingegen die tatsächlichen transienten Eigenschaften. Jetzt wird auch der Snapback-Effekt widergespiegelt. Dadurch wird es möglich, das Snapback-Verhalten zu simulieren. Der Snapback-Effekt ermöglicht es, nach einer transienten Überspannung die Spannung auf ein niedrigeres Niveau im Vergleich zu Standard-PN-Dioden zu klemmen. Dies ist ein wichtiger Aspekt im ESD-Schutz, da die Überspannungs- und somit auch thermische Belastung empfindlicher elektronischer Komponenten reduziert wird.

Robusten ESD-Schutz gewährleisten

Die Simulation des echten transienten Verhaltens gibt Sicherheit beim Test von Schaltungen unter realistischen Bedingungen. Zuverlässige Simulationen verkürzen die Test- und Entwicklungszyklen und verringern das Risiko von Produktrückrufen aufgrund von ESD-Schwachstellen. Gleichzeitig bieten sie Einblicke in das Verhalten von Bauelementen und ermöglichen so die Optimierung des Designs im Sinne der Gewährleistung einer gleichbleibenden ESD-Beständigkeit in allen Anwendungen, von der Unterhaltungselektronik bis hin zu Industriegeräten.

Die LTspice-Modelle für eine realistische Modellierung des realen Bauteilverhaltens bei ESD-Events der Produkte der Reihen WE-TVS und WE-VE stehen ab sofort im Onlinekatalog von Würth Elektronik unter https://www.we-online.com/… zum Download bereit.